IRFP250N vs IRFP250MPBF 比較

詳細な並列比較: IRFP250N メーカー: Infineon および IRFP250MPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRFP250N IRFP250MPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.78 $2.55
Technology N-Channel HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC 214 W —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
パッケージ TO-247AC (through-hole) —
実装タイプ Through Hole Through Hole
動作温度範囲 -55 C to +175 C (TJ) —
Avalanche Energy Rating Fully avalanche rated —
dv/dt Rating Dynamic dv/dt rated —
Switching Frequency Optimization Optimized for applications below 100 kHz —
Qualification Standard JEDEC —
Lead-Free Status Yes (PBF suffix) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Planar Cell Structure Yes (wide SOA) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFP250MPBF
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 30 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max @ Vgs=10V
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) — 4 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) — 82 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 214 W
動作接合温度 — -55C to +175C
パッケージ / ケース — TO-247AC (3-pin + tab)
ピン数 — 3
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free — Yes
MSLレベル — 1 (unlimited)

データシート&リソース

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