IRFP2907PBF vs IPW60R041C6FKSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFP2907PBF بواسطة Infineon و IPW60R041C6FKSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFP2907PBF | IPW60R041C6FKSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | NRND |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRFP2907PBF | — |
| Technology | HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel) | CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C | 209 A | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) | 4.5 mOhm at V_GS = 10 V | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C | 470 W | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 410 nC | — |
| Maximum Junction Operating Temperature | +175 C | — |
| Package / Mounting Type | TO-247AC (Through Hole) | — |
| عدد الأطراف | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| RoHS Compliance | Yes (Pb-free) | — |
| Avalanche Rated | Yes (repetitive avalanche rated) | — |
| Body Diode | Integral (no external anti-parallel diode required) | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 77.5 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 481 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 41 mΩ at VGS=10V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.5 V to 3.5 V typical |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Rise Time (tr) | — | [DATA_NEEDED: tr value] |
| Fall Time (tf) | — | [DATA_NEEDED: tf value] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55°C to +150°C |
| العلبة | — | PG-TO247-3-1 (TO-247-3) |
| نوع التركيب | — | Through Hole |
| مستوى MSL | — | Not Applicable (Through-hole) |
| حالة RoHS | — | Compliant |