IRFR2405TRLPBF vs IRFR4620TRLPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR2405TRLPBF بواسطة Infineon و IRFR4620TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFR2405TRLPBF IRFR4620TRLPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) IR MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A (typical, per datasheet family) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 16 mOhm —
Gate Charge (Qg) typical 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 110 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C (junction) —
العلبة TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Lead-Free / RoHS Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
العلبة / الحالة — TO-252AA (DPAK)
درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C
Lead Free — Yes
حالة RoHS — Compliant
مستوى MSL — 1 (Unlimited)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر