IRFR2405TRLPBF vs IRFR4620TRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR2405TRLPBF מאת Infineon ו IRFR4620TRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR2405TRLPBF IRFR4620TRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) IR MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A (typical, per datasheet family) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 16 mOhm —
Gate Charge (Qg) typical 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 110 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +175 C (junction) —
מארז TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Lead-Free / RoHS Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
מארז / Case — TO-252AA (DPAK)
טמפרטורת פעולה — -55C to +175C
Lead Free — Yes
סטטוס RoHS — Compliant
רמת MSL — 1 (Unlimited)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר