IRFR2405TRLPBF vs IRFR4620TRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR2405TRLPBF tarafından Infineon ve IRFR4620TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR2405TRLPBF IRFR4620TRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) IR MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A (typical, per datasheet family) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 16 mOhm —
Gate Charge (Qg) typical 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 110 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (junction) —
Paket TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Lead-Free / RoHS Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
Paket / Kas — TO-252AA (DPAK)
İşletim Sıcaklığı — -55C to +175C
Lead Free — Yes
RoHS Durumu — Compliant
MSL Seviyesi — 1 (Unlimited)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin