IRFR2405TRLPBF vs IRFR4620TRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR2405TRLPBF توسط Infineon و IRFR4620TRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR2405TRLPBF IRFR4620TRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) IR MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A (typical, per datasheet family) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 16 mOhm —
Gate Charge (Qg) typical 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 110 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C (junction) —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Lead-Free / RoHS Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
بسته‌بندی / کیس — TO-252AA (DPAK)
دمای کاری — -55C to +175C
Lead Free — Yes
وضعیت RoHS — Compliant
سطح MSL — 1 (Unlimited)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت