IRFR2405TRLPBF vs IRFR4620TRLPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR2405TRLPBF द्वारा Infineon और IRFR4620TRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFR2405TRLPBF IRFR2405TRLPBF - 55V 56A N-Ch HEXFET MOSFET DPAK | Infineon

IRFR2405TRLPBF - 55V 56A N-Ch HEXFET MOSFET DPAK | Infineon

IRFR2405TRLPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFR2405TRLPBF IRFR4620TRLPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) IR MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A (typical, per datasheet family) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 16 mOhm —
Gate Charge (Qg) typical 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 110 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +175 C (junction) —
पैकेज TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Lead-Free / RoHS Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
पैकेज / केस — TO-252AA (DPAK)
ऑपरेटिंग तापमान — -55C to +175C
Lead Free — Yes
RoHS स्थिति — Compliant
MSL स्तर — 1 (Unlimited)

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