IRFR2405TRPBF vs IRFR9120NTRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR2405TRPBF بواسطة Infineon و IRFR9120NTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFR2405TRPBF IRFR9120NTRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET fifth-generation IR MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC 18 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C —
العلبة TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
مستوى MSL 1 1 (unlimited floor life)
حالة RoHS Compliant (Lead-Free PBF suffix) Compliant
خالٍ من الهالوجين [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -6.6 A
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=-10V — 480 milliohm
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25C — 40 W
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Lead Finish / Plating — Pb-free (PBF suffix), Matte Tin
Moisture Sensitivity — MSL1 per JEDEC J-STD-020

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر