IRFR2405TRPBF vs IRFR9120NTRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR2405TRPBF מאת Infineon ו IRFR9120NTRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR2405TRPBF IRFR9120NTRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET fifth-generation IR MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V -100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC 18 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
מארז TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
רמת MSL 1 1 (unlimited floor life)
סטטוס RoHS Compliant (Lead-Free PBF suffix) Compliant
נטול הלוגנים [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -6.6 A
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=-10V — 480 milliohm
Continuous Power Dissipation (PD) at TC=25C — 40 W
טווח טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Lead Finish / Plating — Pb-free (PBF suffix), Matte Tin
Moisture Sensitivity — MSL1 per JEDEC J-STD-020

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר