IRFR2405TRPBF vs IRLTS2242TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR2405TRPBF بواسطة Infineon و IRLTS2242TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFR2405TRPBF IRLTS2242TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V -20 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C —
العلبة TO-252AA (DPAK) TSOP-6 (Micro 6)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
مستوى MSL 1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS Compliant (Lead-Free PBF suffix) Compliant
خالٍ من الهالوجين [DATA_NEEDED: halogen-free status] Yes
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -6.9 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.0 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 32 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS absolute max]
Gate Drive Voltage (logic level) — 4.5 V (fully enhanced), 2.5 V capable
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (junction)
Package Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: RthJA on 1 inch FR-4 PCB]
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر