IRFR3710ZTRPBF vs IRFR6215TRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR3710ZTRPBF بواسطة Infineon و IRFR6215TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR3710ZTRPBF | IRFR6215TRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | -150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 56 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 18 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 140 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) |
| العلبة | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -13 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max at VGS=-10V | — | 580 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 44 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 110 W |
| Maximum Operating Junction Temperature | — | 175 C |
| مستوى MSL | — | 1 |