IRFR3710ZTRPBF vs IRFR6215TRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR3710ZTRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR6215TRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR3710ZTRPBF IRFR6215TRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 18 mOhm —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation)
پیکیج TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -13 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 580 mOhm
Total Gate Charge (Qg) typ — 44 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Maximum Operating Junction Temperature — 175 C
MSL لیول — 1

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں