IRFR3710ZTRPBF vs IRFR6215TRLPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFR3710ZTRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFR6215TRLPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF - 100V N-Channel 56A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3710ZTRPBF - 100V N-Channel 56A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3710ZTRPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRLPBF - 150V P-Ch HEXFET MOSFET, 13A, DPAK | Infineon

IRFR6215TRLPBF - 150V P-Ch HEXFET MOSFET, 13A, DPAK | Infineon

IRFR6215TRLPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFR3710ZTRPBF IRFR6215TRLPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V -150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 18 mOhm —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55C to +175C —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation)
প্যাকেজ TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -13 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 580 mOhm
Total Gate Charge (Qg) typ — 44 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Maximum Operating Junction Temperature — 175 C
MSL লেভেল — 1

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট