IRFR4615TRLPBF vs IRF150P220AKMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR4615TRLPBF بواسطة Infineon و IRF150P220AKMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR4615TRLPBF | IRF150P220AKMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) | StrongIRFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 42 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 26 nC | — |
| Gate-Source Charge (Qgs) | [DATA_NEEDED: Qgs] | — |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 144 W | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 109 mJ | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | -55C to +175C |
| العلبة | TO-252AA (DPAK) | TO-247-3 (PG-TO247-3) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Through Hole |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) | — |
| طاقة الانهيار النبضي المفرد | 109 mJ | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRF150P220AKMA1 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 203 A |
| On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V | — | 2.7 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 556 W |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | — | 3.8 W |
| Terminal Finish | — | Tin (Sn) |
| JESD-609 Code | — | e3 |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |