IRFR4615TRLPBF vs IRF150P220AKMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR4615TRLPBF tarafından Infineon ve IRF150P220AKMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR4615TRLPBF IRF150P220AKMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) StrongIRFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 26 nC —
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 144 W —
Avalanche Energy (EAS) 109 mJ —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C -55C to +175C
Paket TO-252AA (DPAK) TO-247-3 (PG-TO247-3)
Montaj Türü Surface Mount Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
Tek Darbe Yıldırım Enerjisi 109 mJ —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRF150P220AKMA1
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS max) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 203 A
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 2.7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS max) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 556 W
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 3.8 W
Terminal Finish — Tin (Sn)
JESD-609 Code — e3
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin