IRFR4620TRLPBF vs IRFR3806TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR4620TRLPBF بواسطة Infineon و IRFR3806TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR4620TRLPBF | IRFR3806TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRFR4620TRLPBF | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 24 A at Tc | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 78 mOhm max at VGS=10V | — |
| Gate Charge (Qg) | 25 nC typical | — |
| Power Dissipation (PD) | 144 W at Tc | — |
| Technology | IR MOSFET | HEXFET (IR MOSFET) |
| العلبة / الحالة | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | — |
| Lead Free | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| مستوى MSL | 1 (Unlimited) | — |
| Transistor Polarity | — | N-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 43 A |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 15.8 mOhm at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 22 nC |
| Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C | — | 71 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +175 C |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Number of Units in IC | — | 1 |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix, lead-free) |
| Avalanche Rated | — | Yes (HEXFET family) |