IRFR4620TRLPBF vs IRFR3806TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFR4620TRLPBF bằng Infineon và IRFR3806TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF - 60V 43A N-Ch HEXFET MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR3806TRPBF - 60V 43A N-Ch HEXFET MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR3806TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFR4620TRLPBF IRFR3806TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFR4620TRLPBF —
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 24 A at Tc —
On-Resistance (RDS(on)) 78 mOhm max at VGS=10V —
Gate Charge (Qg) 25 nC typical —
Power Dissipation (PD) 144 W at Tc —
Technology IR MOSFET HEXFET (IR MOSFET)
Hộp / Vỏ TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động -55C to +175C —
Lead Free Yes —
Trạng thái RoHS Compliant —
Cấp MSL 1 (Unlimited) —
Transistor Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 43 A
On-State Resistance RDS(on) max — 15.8 mOhm at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — 22 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C — 71 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55 C to +175 C
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Number of Units in IC — 1
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Avalanche Rated — Yes (HEXFET family)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá