IRFR5305TRLPBF vs IRFR120NTRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR5305TRLPBF بواسطة Infineon و IRFR120NTRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR5305TRLPBF | IRFR120NTRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity / Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | -31 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| RDS(on) max at VGS=-10V | 65 mΩ | — |
| RDS(on) max at VGS=-5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | — |
| العلبة | TO-252AA (DPAK), surface mount | PG-TO252-3 (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET fifth-generation planar MOSFET | IR MOSFET (HEXFET) |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Pb-free, suffix "PBF") | — |
| Tape & Reel Orientation | Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 9.4 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 210 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 16.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 48 W |
| نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +175C |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free Finish | — | Yes (Pb-free) |