IRFR5410TRPBF vs IRLTS2242TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR5410TRPBF بواسطة Infineon و IRLTS2242TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR5410TRPBF | IRLTS2242TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | -20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C | -13 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V | 205 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 70 nC | — |
| العلبة | TO-252AA (DPAK), surface mount | TSOP-6 (Micro 6) |
| Power Dissition (PD) at TC = 25 °C | 66 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +150 °C (TJ) | -55C to +150C (junction) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (advanced process, Gen 5) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RDS(on) Test Conditions | VGS = -10 V, ID = -7.0 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | -6.9 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 2.0 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | — | 32 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Gate Drive Voltage (logic level) | — | 4.5 V (fully enhanced), 2.5 V capable |
| Package Thermal Resistance (RthJA) | — | [DATA_NEEDED: RthJA on 1 inch FR-4 PCB] |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |