IRFR5505TRLPBF vs IRFR024NTRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR5505TRLPBF بواسطة Infineon و IRFR024NTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR5505TRLPBF | IRFR024NTRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | P-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| VDS (Drain-Source Voltage) | -55 V | — |
| VGS (Gate-Source Voltage) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -18 A (Tc) | 17 A (at TC = 25 C) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | 60 A |
| On-Resistance RDS(on) max | 110 mOhm (VGS = -10 V) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 21.3 nC | — |
| Power Dissipation (PD) | 57 W (Tc = 25 °C) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | [DATA_NEEDED: RθJC] | — |
| Technology | IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5) | — |
| العلبة | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| مستوى MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Product Series | — | HEXFET Power MOSFET (5th generation) |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 75 mOhm max (at VGS = 10 V) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Typical Gate Charge (Qg) | — | 13.3 nC |
| Total Power Dissipation (PD) | — | 45 W (at TC = 25 C) |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 C to +175 C |
| Packaging | — | Tape and Reel (TR) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free / PbF terminations) |