IRFR5505TRLPBF vs IRFR024NTRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR5505TRLPBF توسط Infineon و IRFR024NTRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR5505TRLPBF IRFR024NTRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity P-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
VGS (Gate-Source Voltage) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) -18 A (Tc) 17 A (at TC = 25 C)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 60 A
On-Resistance RDS(on) max 110 mOhm (VGS = -10 V) —
Total Gate Charge (Qg) 21.3 nC —
Power Dissipation (PD) 57 W (Tc = 25 °C) —
محدوده دمای کاری -55 °C to +175 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: RθJC] —
Technology IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5) —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
سطح MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Series — HEXFET Power MOSFET (5th generation)
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max (at VGS = 10 V)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Typical Gate Charge (Qg) — 13.3 nC
Total Power Dissipation (PD) — 45 W (at TC = 25 C)
دمای اتصال کاری — -55 C to +175 C
Packaging — Tape and Reel (TR)
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free / PbF terminations)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت