IRFR5505TRLPBF vs IRFR024NTRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR5505TRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFR024NTRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR5505TRLPBF IRFR024NTRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
VGS (Gate-Source Voltage) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) -18 A (Tc) 17 A (at TC = 25 C)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 60 A
On-Resistance RDS(on) max 110 mOhm (VGS = -10 V) —
Total Gate Charge (Qg) 21.3 nC —
Power Dissipation (PD) 57 W (Tc = 25 °C) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) [DATA_NEEDED: RθJC] —
Technology IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5) —
پیکیج TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
MSL لیول 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Series — HEXFET Power MOSFET (5th generation)
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
On-Resistance (RDS(on)) — 75 mOhm max (at VGS = 10 V)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Typical Gate Charge (Qg) — 13.3 nC
Total Power Dissipation (PD) — 45 W (at TC = 25 C)
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
Packaging — Tape and Reel (TR)
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free / PbF terminations)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں