IRFR9024NTRPBF vs IRFR3710ZTRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR9024NTRPBF بواسطة Infineon و IRFR3710ZTRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR9024NTRPBF | IRFR3710ZTRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $0.17 | — |
| Polarity | P-Channel | — |
| VDS (Drain-Source Voltage) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (Tc=25C) | -11 A | — |
| تيار التصريف النبضي | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| VGS (Gate-Source Voltage) | ±20 V | — |
| VGS(th) (Threshold Voltage) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| RDS(on) Max at VGS=-10V | 175 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 12.7 nC | 69 nC |
| Maximum Power Dissipation (Tc=25C) | 38 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | — |
| العلبة | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 | — |
| Technology | HEXFET (Gen 5) | MOSFET (Metal Oxide), HEXFET |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free PBF suffix) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) | — | 42 A |
| Max Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 18 mOhm |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | — | [DATA_NEEDED: Vgs max rating] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | — | 140 W |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | — | 150 mJ |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per Lisleapex listing) |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +175 C (TJ) |