IRFR9024NTRPBF vs IRFR3710ZTRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR9024NTRPBF מאת Infineon ו IRFR3710ZTRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRFR3710ZTRLPBF IRFR3710ZTRLPBF - 100V 42A HEXFET N-MOSFET DPAK | Infineon

IRFR3710ZTRLPBF - 100V 42A HEXFET N-MOSFET DPAK | Infineon

IRFR3710ZTRLPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR9024NTRPBF IRFR3710ZTRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
מחיר ליחידה (USD) $0.17 —
Polarity P-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
Continuous Drain Current (Tc=25C) -11 A —
זרם ניקוז פועם [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Threshold Voltage) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) Max at VGS=-10V 175 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 12.7 nC 69 nC
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 38 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
מארז TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 —
Technology HEXFET (Gen 5) MOSFET (Metal Oxide), HEXFET
סטטוס RoHS Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
FET Type — N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) — 42 A
Max Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10V — 18 mOhm
Gate-Source Voltage (Vgs) max — [DATA_NEEDED: Vgs max rating]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 140 W
Avalanche Energy Rating (EAS) — 150 mJ
Maximum Junction Temperature — 175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per Lisleapex listing)
Configuration — Single with built-in diode
טמפרטורת פעולה — -55 C to +175 C (TJ)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר