IRFR9024NTRPBF vs IRFR3710ZTRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR9024NTRPBF tarafından Infineon ve IRFR3710ZTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR9024NTRPBF IRFR3710ZTRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) $0,17 —
Polarity P-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
Continuous Drain Current (Tc=25C) -11 A —
Pulsed Dræn Akımı [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Threshold Voltage) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) Max at VGS=-10V 175 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 12.7 nC 69 nC
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 38 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 —
Technology HEXFET (Gen 5) MOSFET (Metal Oxide), HEXFET
RoHS Durumu Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
FET Type — N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) — 42 A
Max Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10V — 18 mOhm
Gate-Source Voltage (Vgs) max — [DATA_NEEDED: Vgs max rating]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 140 W
Avalanche Energy Rating (EAS) — 150 mJ
Maximum Junction Temperature — 175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per Lisleapex listing)
Configuration — Single with built-in diode
İşletim Sıcaklığı — -55 C to +175 C (TJ)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin