IRFR9024NTRPBF vs IRFR3710ZTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR9024NTRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR3710ZTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFR3710ZTRLPBF IRFR3710ZTRLPBF - 100V 42A HEXFET N-MOSFET DPAK | Infineon

IRFR3710ZTRLPBF - 100V 42A HEXFET N-MOSFET DPAK | Infineon

IRFR3710ZTRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR9024NTRPBF IRFR3710ZTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $0.17 —
Polarity P-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
Continuous Drain Current (Tc=25C) -11 A —
پلسڈ ڈرین کرنٹ [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Threshold Voltage) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) Max at VGS=-10V 175 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 12.7 nC 69 nC
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 38 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 —
Technology HEXFET (Gen 5) MOSFET (Metal Oxide), HEXFET
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
FET Type — N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) — 42 A
Max Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10V — 18 mOhm
Gate-Source Voltage (Vgs) max — [DATA_NEEDED: Vgs max rating]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 140 W
Avalanche Energy Rating (EAS) — 150 mJ
Maximum Junction Temperature — 175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per Lisleapex listing)
Configuration — Single with built-in diode
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55 C to +175 C (TJ)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں