IRFS3306TRLPBF vs IRFS3306PBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFS3306TRLPBF بواسطة Infineon و IRFS3306PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFS3306TRLPBF IRFS3306PBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 120 A (Infineon datasheet; 160 A pulsed per IR datasheet family) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) Max @ VGS=10V 4.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V (typical range) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) 85 nC —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 230 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C (junction) —
العلبة D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263AB) surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET™ (HEXFET-style planar stripe) HEXFET (IR MOSFET)
Lead-Free / Halogen-Free Yes (PbF, Halogen-Free per Infineon datasheet) —
حالة RoHS Compliant —
Tape & Reel Packaging 13-inch reel, 800 pcs/reel typical —
Body Diode dV/dt Capability Enhanced (per Infineon datasheet feature) —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 120 A (package limited)
Continuous Drain Current (ID, silicon limited) — 160 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.2 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
Total Gate Charge (Qg) typ — 85 nC
Gate-to-Drain Charge (Qgd) typ — [DATA_NEEDED: Qgd nominal value]
Power Dissipation (Pd) max @ Tc=25C — 230 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free / RoHS — PbF (lead-free), RoHS compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر