IRFS3306TRLPBF vs IRFS3306PBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFS3306TRLPBF от Infineon и IRFS3306PBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF - 60V 160A N-Ch MOSFET, 4.2mΩ, D2PAK | Infineon

IRFS3306TRLPBF - 60V 160A N-Ch MOSFET, 4.2mΩ, D2PAK | Infineon

IRFS3306TRLPBF ✓ Активен
Infineon
IRFS3306PBF IRFS3306PBF - 60V 120A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFS3306PBF - 60V 120A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFS3306PBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFS3306TRLPBF IRFS3306PBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,12 $1,28
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 120 A (Infineon datasheet; 160 A pulsed per IR datasheet family) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) Max @ VGS=10V 4.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V (typical range) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) 85 nC —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 230 W —
Диапазон рабочих температур -55 °C to +175 °C (junction) —
Корпус D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263AB) surface mount
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET™ (HEXFET-style planar stripe) HEXFET (IR MOSFET)
Lead-Free / Halogen-Free Yes (PbF, Halogen-Free per Infineon datasheet) —
Статус RoHS Compliant —
Tape & Reel Packaging 13-inch reel, 800 pcs/reel typical —
Body Diode dV/dt Capability Enhanced (per Infineon datasheet feature) —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 120 A (package limited)
Continuous Drain Current (ID, silicon limited) — 160 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.2 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
Total Gate Charge (Qg) typ — 85 nC
Gate-to-Drain Charge (Qgd) typ — [DATA_NEEDED: Qgd nominal value]
Power Dissipation (Pd) max @ Tc=25C — 230 W
Рабочая температура перехода — -55C to +175C
Уровень MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free / RoHS — PbF (lead-free), RoHS compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену