IRFS3306TRLPBF vs IRFS3306PBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFS3306TRLPBF par Infineon et IRFS3306PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFS3306TRLPBF | IRFS3306PBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,12 | $1,28 |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C | 120 A (Infineon datasheet; 160 A pulsed per IR datasheet family) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 4.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V (typical range) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | 85 nC | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | 230 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (junction) | — |
| Boîtier | D2PAK (TO-263), surface mount | D2PAK (TO-263AB) surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR MOSFET™ (HEXFET-style planar stripe) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (PbF, Halogen-Free per Infineon datasheet) | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Tape & Reel Packaging | 13-inch reel, 800 pcs/reel typical | — |
| Body Diode dV/dt Capability | Enhanced (per Infineon datasheet feature) | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 120 A (package limited) |
| Continuous Drain Current (ID, silicon limited) | — | 160 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.2 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | — | 3.3 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 85 nC |
| Gate-to-Drain Charge (Qgd) typ | — | [DATA_NEEDED: Qgd nominal value] |
| Power Dissipation (Pd) max @ Tc=25C | — | 230 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free / RoHS | — | PbF (lead-free), RoHS compliant |