IRFS3306TRLPBF vs IRFS3306PBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFS3306TRLPBF द्वारा Infineon और IRFS3306PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF - 60V 160A N-Ch MOSFET, 4.2mΩ, D2PAK | Infineon

IRFS3306TRLPBF - 60V 160A N-Ch MOSFET, 4.2mΩ, D2PAK | Infineon

IRFS3306TRLPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFS3306PBF IRFS3306PBF - 60V 120A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFS3306PBF - 60V 120A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFS3306PBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFS3306TRLPBF IRFS3306PBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 120 A (Infineon datasheet; 160 A pulsed per IR datasheet family) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) Max @ VGS=10V 4.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V (typical range) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) 85 nC —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 230 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 °C to +175 °C (junction) —
पैकेज D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263AB) surface mount
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET™ (HEXFET-style planar stripe) HEXFET (IR MOSFET)
Lead-Free / Halogen-Free Yes (PbF, Halogen-Free per Infineon datasheet) —
RoHS स्थिति Compliant —
Tape & Reel Packaging 13-inch reel, 800 pcs/reel typical —
Body Diode dV/dt Capability Enhanced (per Infineon datasheet feature) —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 120 A (package limited)
Continuous Drain Current (ID, silicon limited) — 160 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.2 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
Total Gate Charge (Qg) typ — 85 nC
Gate-to-Drain Charge (Qgd) typ — [DATA_NEEDED: Qgd nominal value]
Power Dissipation (Pd) max @ Tc=25C — 230 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55C to +175C
MSL स्तर — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free / RoHS — PbF (lead-free), RoHS compliant

डेटाशीट और संसाधन

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