IRFS3306TRLPBF vs IRFS3306PBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFS3306TRLPBF bằng Infineon và IRFS3306PBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF - 60V 160A N-Ch MOSFET, 4.2mΩ, D2PAK | Infineon

IRFS3306TRLPBF - 60V 160A N-Ch MOSFET, 4.2mΩ, D2PAK | Infineon

IRFS3306TRLPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFS3306PBF IRFS3306PBF - 60V 120A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFS3306PBF - 60V 120A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFS3306PBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFS3306TRLPBF IRFS3306PBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 120 A (Infineon datasheet; 160 A pulsed per IR datasheet family) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) Max @ VGS=10V 4.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V (typical range) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) 85 nC —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 230 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 °C to +175 °C (junction) —
Hộp D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263AB) surface mount
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Technology IR MOSFET™ (HEXFET-style planar stripe) HEXFET (IR MOSFET)
Lead-Free / Halogen-Free Yes (PbF, Halogen-Free per Infineon datasheet) —
Trạng thái RoHS Compliant —
Tape & Reel Packaging 13-inch reel, 800 pcs/reel typical —
Body Diode dV/dt Capability Enhanced (per Infineon datasheet feature) —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 120 A (package limited)
Continuous Drain Current (ID, silicon limited) — 160 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.2 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
Total Gate Charge (Qg) typ — 85 nC
Gate-to-Drain Charge (Qgd) typ — [DATA_NEEDED: Qgd nominal value]
Power Dissipation (Pd) max @ Tc=25C — 230 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55C to +175C
Cấp MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free / RoHS — PbF (lead-free), RoHS compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá