IRFU5305PBF vs IRF5305STRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFU5305PBF بواسطة Infineon و IRF5305STRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFU5305PBF | IRF5305STRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | -31 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | -110 A (pulsed) | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | 65 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 42 nC (typical) | 42 nC (Mouser listing) / 63 nC (Future Electronics listing) |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 110 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 °C to +175 °C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | 1.36 °C/W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) | 62 °C/W | — |
| العلبة | IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins | TO-263 / D2PAK (surface mount) |
| نوع التركيب | Through Hole | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes (EAS rated) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Polarity / Channel Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -31 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | [DATA_NEEDED: ID at TA=25C] |
| RDS(on) max at VGS=-10V | — | 60 mOhm |
| RDS(on) max at VGS=-4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Maximum Power Dissition at Tc | — | 110 W |
| Maximum Power Dissipation at TA | — | 3.8 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] |
| Technology | — | HEXFET (fifth generation), IR MOSFET |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR), 800 pcs per reel |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Pb-free suffix PBF) |