IRFU5305PBF vs IRF5305STRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFU5305PBF بذریعہ Infineon اور IRF5305STRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFU5305PBF IRF5305STRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -110 A (pulsed) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 65 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC (typical) 42 nC (Mouser listing) / 63 nC (Future Electronics listing)
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 110 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.36 °C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) 62 °C/W —
پیکیج IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins TO-263 / D2PAK (surface mount)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount
Avalanche Rated Yes (EAS rated) —
RoHS Compliance Compliant —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -31 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C]
RDS(on) max at VGS=-10V — 60 mOhm
RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Maximum Power Dissition at Tc — 110 W
Maximum Power Dissipation at TA — 3.8 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: Tj max / operating range]
Technology — HEXFET (fifth generation), IR MOSFET
Packaging — Tape & Reel (TR), 800 pcs per reel
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free suffix PBF)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں