IRFU5305PBF vs IRFR5305TRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFU5305PBF بواسطة Infineon و IRFR5305TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFU5305PBF | IRFR5305TRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | -31 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | -110 A (pulsed) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | 65 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | 42 nC (typical) | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 110 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | 1.36 °C/W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) | 62 °C/W | — |
| العلبة | IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| نوع التركيب | Through Hole | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes (EAS rated) | Yes (fully avalanche rated) |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Polarity / Channel Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -31 A |
| RDS(on) max at VGS=-10V | — | 65 mΩ |
| RDS(on) max at VGS=-5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 110 W |
| Technology | — | HEXFET fifth-generation planar MOSFET |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Pb-free, suffix "PBF") |
| Tape & Reel Orientation | — | Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) |