IRFU5305PBF vs IRFR5305TRLPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFU5305PBF bằng Infineon và IRFR5305TRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFU5305PBF IRFU5305PBF - -55V P-Ch HEXFET MOSFET, 31A, IPAK | Infineon

IRFU5305PBF - -55V P-Ch HEXFET MOSFET, 31A, IPAK | Infineon

IRFU5305PBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF - -55V P-Channel MOSFET, 31A, 65mΩ | Infineon

IRFR5305TRLPBF - -55V P-Channel MOSFET, 31A, 65mΩ | Infineon

IRFR5305TRLPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFU5305PBF IRFR5305TRLPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -110 A (pulsed) [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 65 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Total Gate Charge (Qg) 42 nC (typical) —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 110 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.36 °C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) 62 °C/W —
Hộp IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins TO-252AA (DPAK), surface mount
Kiểu lắp đặt Through Hole Surface Mount
Avalanche Rated Yes (EAS rated) Yes (fully avalanche rated)
RoHS Compliance Compliant —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -31 A
RDS(on) max at VGS=-10V — 65 mΩ
RDS(on) max at VGS=-5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Technology — HEXFET fifth-generation planar MOSFET
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, suffix "PBF")
Tape & Reel Orientation — Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá