IRFU5305PBF vs IRFR5305TRLPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFU5305PBF द्वारा Infineon और IRFR5305TRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFU5305PBF IRFU5305PBF - -55V P-Ch HEXFET MOSFET, 31A, IPAK | Infineon

IRFU5305PBF - -55V P-Ch HEXFET MOSFET, 31A, IPAK | Infineon

IRFU5305PBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF - -55V P-Channel MOSFET, 31A, 65mΩ | Infineon

IRFR5305TRLPBF - -55V P-Channel MOSFET, 31A, 65mΩ | Infineon

IRFR5305TRLPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFU5305PBF IRFR5305TRLPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -110 A (pulsed) [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 65 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Total Gate Charge (Qg) 42 nC (typical) —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 110 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) 1.36 °C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) 62 °C/W —
पैकेज IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins TO-252AA (DPAK), surface mount
माउंटिंग प्रकार Through Hole Surface Mount
Avalanche Rated Yes (EAS rated) Yes (fully avalanche rated)
RoHS Compliance Compliant —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -31 A
RDS(on) max at VGS=-10V — 65 mΩ
RDS(on) max at VGS=-5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Technology — HEXFET fifth-generation planar MOSFET
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, suffix "PBF")
Tape & Reel Orientation — Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left)

डेटाशीट और संसाधन

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