IRFU5305PBF vs IRLR120NTRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFU5305PBF بواسطة Infineon و IRLR120NTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFU5305PBF | IRLR120NTRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | -31 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | -110 A (pulsed) | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | 65 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 42 nC (typical) | 13.3 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 110 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 °C to +175 °C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | 1.36 °C/W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) | 62 °C/W | — |
| العلبة | IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins | TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount |
| نوع التركيب | Through Hole | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes (EAS rated) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | HEXFET (Fifth Generation, planar) |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed Idm] |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | — | 185 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 48 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C (junction) |
| Avalanche Energy Rating | — | Fully avalanche rated |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix indicates lead-free) |
| مستوى MSL | — | 1 |