IRFU5305PBF vs IRLR120NTRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFU5305PBF tarafından Infineon ve IRLR120NTRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFU5305PBF | IRLR120NTRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | -31 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | -110 A (pulsed) | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | 65 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 42 nC (typical) | 13.3 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 110 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 °C to +175 °C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | 1.36 °C/W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) | 62 °C/W | — |
| Paket | IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins | TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount |
| Montaj Türü | Through Hole | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes (EAS rated) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | HEXFET (Fifth Generation, planar) |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed Idm] |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | — | 185 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 48 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C (junction) |
| Avalanche Energy Rating | — | Fully avalanche rated |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix indicates lead-free) |
| MSL Seviyesi | — | 1 |