IRFU5305PBF vs IRLR120NTRPBF مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IRFU5305PBF توسط Infineon و IRLR120NTRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IRFU5305PBF | IRLR120NTRPBF |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | -31 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | -110 A (pulsed) | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | 65 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 42 nC (typical) | 13.3 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 110 W | — |
| دمای اتصال کاری | -55 °C to +175 °C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | 1.36 °C/W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) | 62 °C/W | — |
| بسته‌بندی | IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins | TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount |
| نوع نصب | Through Hole | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes (EAS rated) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Technology | — | HEXFET (Fifth Generation, planar) |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed Idm] |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | — | 185 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 48 W |
| محدوده دمای کاری | — | -55C to +175C (junction) |
| Avalanche Energy Rating | — | Fully avalanche rated |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix indicates lead-free) |
| سطح MSL | — | 1 |