IRFU9024NPBF vs IRF520NPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFU9024NPBF بواسطة Infineon و IRF520NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFU9024NPBF | IRF520NPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | -11 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | -44 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | 175 mOhm max | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -4 V max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 12.7 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 170 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 92 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 350 pF | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 38 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | — |
| العلبة | IPAK (TO-251AA) Through-Hole | TO-220AB (through-hole) |
| نوع التركيب | Through Hole | Through Hole |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-Free, RoHS Compliant | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Generation | Fifth-Generation HEXFET | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | HEXFET |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | — | 9.7 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 200 mOhm |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | 16.7 nC |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | — | 48 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C |
| مستوى MSL | — | 1 (unlimited) |
| حالة RoHS | — | Compliant (Pb-free) |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |
| Technology | — | HEXFET (vertical DMOS) |