IRFU9024NPBF vs IRF520NPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFU9024NPBF توسط Infineon و IRF520NPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFU9024NPBF IRF520NPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -11 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -44 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 175 mOhm max —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) -4 V max —
Total Gate Charge (Qg) 12.7 nC —
Input Capacitance (Ciss) 170 pF —
Output Capacitance (Coss) 92 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 350 pF —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 38 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی IPAK (TO-251AA) Through-Hole TO-220AB (through-hole)
نوع نصب Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free, RoHS Compliant —
Avalanche Rated Yes —
Generation Fifth-Generation HEXFET —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — HEXFET
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 9.7 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
R_DS(on) max at V_GS=10V — 200 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 16.7 nC
Power Dissipation (P_D) at Tc — 48 W
محدوده دمای کاری — -55C to +175C
سطح MSL — 1 (unlimited)
وضعیت RoHS — Compliant (Pb-free)
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)
Technology — HEXFET (vertical DMOS)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت