IRFU9024NPBF vs IRF520NPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFU9024NPBF tarafından Infineon ve IRF520NPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFU9024NPBF IRF520NPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -11 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -44 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 175 mOhm max —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) -4 V max —
Total Gate Charge (Qg) 12.7 nC —
Input Capacitance (Ciss) 170 pF —
Output Capacitance (Coss) 92 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 350 pF —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 38 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket IPAK (TO-251AA) Through-Hole TO-220AB (through-hole)
Montaj Türü Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free, RoHS Compliant —
Avalanche Rated Yes —
Generation Fifth-Generation HEXFET —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — HEXFET
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 9.7 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
R_DS(on) max at V_GS=10V — 200 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 16.7 nC
Power Dissipation (P_D) at Tc — 48 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C
MSL Seviyesi — 1 (unlimited)
RoHS Durumu — Compliant (Pb-free)
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)
Technology — HEXFET (vertical DMOS)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin