IRFU9024NPBF vs IRF520NPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFU9024NPBF מאת Infineon ו IRF520NPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFU9024NPBF IRF520NPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -11 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -44 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 175 mOhm max —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) -4 V max —
Total Gate Charge (Qg) 12.7 nC —
Input Capacitance (Ciss) 170 pF —
Output Capacitance (Coss) 92 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 350 pF —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 38 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
מארז IPAK (TO-251AA) Through-Hole TO-220AB (through-hole)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free, RoHS Compliant —
Avalanche Rated Yes —
Generation Fifth-Generation HEXFET —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — HEXFET
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 9.7 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
R_DS(on) max at V_GS=10V — 200 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 16.7 nC
Power Dissipation (P_D) at Tc — 48 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55C to +175C
רמת MSL — 1 (unlimited)
סטטוס RoHS — Compliant (Pb-free)
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)
Technology — HEXFET (vertical DMOS)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר