IRFZ48NSTRLPBF vs IRLR3636TRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFZ48NSTRLPBF بواسطة Infineon و IRLR3636TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFZ48NSTRLPBF | IRLR3636TRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel Power MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 64 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM rating] |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) | 14 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 54 nC | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 130 W | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 | 3.8 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | — |
| العلبة | D2PAK (TO-263) Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel, TRL) | — |
| Lead Finish | Lead-free (PBF) matte tin | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Technology Family | HEXFET advanced process technology | — |
| Technology | — | IR HEXFET® (IR MOSFET™) |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) | — | 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 6.8 mΩ |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.5 V (logic-level) |
| Total Gate Charge (QG) | — | 33 nC |
| Power Dissipation (PD, TC=25°C) | — | 143 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix) |
| Avalanche Rated | — | Yes (per Infineon datasheet family) |