IRFZ48NSTRLPBF vs IRLR3636TRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFZ48NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRLR3636TRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF - 60V 99A N-Ch IR MOSFET, DPAK | Infineon

IRLR3636TRLPBF - 60V 99A N-Ch IR MOSFET, DPAK | Infineon

IRLR3636TRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFZ48NSTRLPBF IRLR3636TRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel Power MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM rating]
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) —
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Technology Family HEXFET advanced process technology —
Technology — IR HEXFET® (IR MOSFET™)
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) — 50 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) — 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating]
RDS(on) Max @ VGS=10V — 6.8 mΩ
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (logic-level)
Total Gate Charge (QG) — 33 nC
Power Dissipation (PD, TC=25°C) — 143 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +175 °C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Avalanche Rated — Yes (per Infineon datasheet family)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں