IRFZ48NSTRLPBF vs IRLR3636TRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFZ48NSTRLPBF tarafından Infineon ve IRLR3636TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFZ48NSTRLPBF IRLR3636TRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel Power MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM rating]
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C —
Paket D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) —
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
RoHS Durumu Compliant —
Technology Family HEXFET advanced process technology —
Technology — IR HEXFET® (IR MOSFET™)
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) — 50 A
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) — 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating]
RDS(on) Max @ VGS=10V — 6.8 mΩ
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (logic-level)
Total Gate Charge (QG) — 33 nC
Power Dissipation (PD, TC=25°C) — 143 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +175 °C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Avalanche Rated — Yes (per Infineon datasheet family)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin