IRL40S212ARMA1 vs BSZ900N20NS3GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRL40S212ARMA1 بواسطة Infineon و BSZ900N20NS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRL40S212ARMA1 | BSZ900N20NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | StrongIRFET™ | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 195 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance (RDS(on)) | 1.9 mOhm max | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 231 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Tj max] | — |
| العلبة | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TSDSON-8 (TDSON-8 FL) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | StrongIRFET™ (planar N-channel) | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| مستوى MSL | 1 (unlimited) | 1 (unlimited) |
| Part Number | — | BSZ900N20NS3GATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 15.2 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) | — | 90 mΩ |
| Typical RDS(on) @ VGS=10V | — | 77 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | 3.5 V |
| Total Gate Charge (Qg typ) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 62.5 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +150C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC] |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| ESD Protection | — | Yes (integrated) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (EAS) |