IRL40S212ARMA1 vs BSZ900N20NS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRL40S212ARMA1 tarafından Infineon ve BSZ900N20NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRL40S212ARMA1 BSZ900N20NS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family StrongIRFET™ —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 200 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 195 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance (RDS(on)) 1.9 mOhm max —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Power Dissipation (PD, Tc) 231 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: Tj max] —
Paket PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TSDSON-8 (TDSON-8 FL)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology StrongIRFET™ (planar N-channel) OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi 1 (unlimited) 1 (unlimited)
Part Number — BSZ900N20NS3GATMA1
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 15.2 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) — 90 mΩ
Typical RDS(on) @ VGS=10V — 77 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 3.5 V
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 62.5 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
ESD Protection — Yes (integrated)
Avalanche Energy Rated — Yes (EAS)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin