IRL40S212ARMA1 vs BSZ900N20NS3GATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IRL40S212ARMA1 bằng Infineon và BSZ900N20NS3GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRL40S212ARMA1 IRL40S212ARMA1 - 40V 195A 1.9mOhm StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRL40S212ARMA1 - 40V 195A 1.9mOhm StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRL40S212ARMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSZ900N20NS3GATMA1 BSZ900N20NS3GATMA1 - 200V N-Ch MOSFET 15.2A | Infineon OptiMOS 3

BSZ900N20NS3GATMA1 - 200V N-Ch MOSFET 15.2A | Infineon OptiMOS 3

BSZ900N20NS3GATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRL40S212ARMA1 BSZ900N20NS3GATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family StrongIRFET™ —
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 200 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 195 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance (RDS(on)) 1.9 mOhm max —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Power Dissipation (PD, Tc) 231 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: Tj max] —
Hộp PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TSDSON-8 (TDSON-8 FL)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Technology StrongIRFET™ (planar N-channel) OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Cấp MSL 1 (unlimited) 1 (unlimited)
Part Number — BSZ900N20NS3GATMA1
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 15.2 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) — 90 mΩ
Typical RDS(on) @ VGS=10V — 77 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 3.5 V
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 62.5 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55C to +150C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
ESD Protection — Yes (integrated)
Avalanche Energy Rated — Yes (EAS)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá