IRLML2060TRPBF vs BSR802NL6327HTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLML2060TRPBF بواسطة Infineon و BSR802NL6327HTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRLML2060TRPBF | BSR802NL6327HTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 4.8 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | +/- 12 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.8 V typical | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| RDS(on) max at VGS=10V | 480 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5V | 650 mOhm (typical 580 mOhm) | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.25 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) | 100 C/W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +150C | -55C to +150C |
| العلبة | SOT-23 (Micro3, 3-pin) | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET (Trench Gate) | OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| مستوى MSL | MSL1 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSR802NL6327HTSA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 3.7 A (Ta=25C) |
| Power Dissipation (PD) max | — | 500 mW (Ta=25C) |
| On-Resistance (RDS(on)) typ | — | 23 mOhm @ VGS=4.5 V |
| Qualification | — | Automotive |
| عدد الأطراف | — | 3 |